反应性离子蚀刻(RIE)是一个等离子体蚀刻过程,它为所蚀刻部分的电荷增加了电荷,从而诱导了蚀刻过程的方向成分。蚀刻的这种方向性可以使蚀刻尺寸明显较小,这是在半导体行业中常用的。
反应性离子蚀刻(RIE)是一个血浆蚀刻过程,它使用电荷在蚀刻过程中添加方向分量。此RIE流程为该部件产生费用。当该部分充电时,等离子体的蚀刻成分将具有相反的电荷,从而导致蚀刻分量在零件上的方向碰撞。最终的蚀刻是定向,使特征大小要小得多。RIE还使制造商能够以比正常蚀刻方法更快的速度蚀刻。
控制柜:
W 560毫米H 560毫米D 420毫米
会议厅:
Ø3.9英寸,l 10.9英寸
腔室体积:
2
天然气供应:
1通过针阀的气通道
发电机:
1个。有40 kHz
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)
控制:
半自动
控制柜:
W 600毫米H 1700毫米D 800毫米
会议厅:
Ø5.9英寸,l 12.6英寸
腔室体积:
5
天然气供应:
质量流控制器
发电机:
1个。有40 kHz
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)
控制:
个人电脑
控制柜:
W 600毫米H 1700毫米D 800毫米
会议厅:
W 15.8“ X H 15.8” X D 24.6”
腔室体积:
100
天然气供应:
质量流控制器
发电机:
1个。有40 kHz
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)
控制:
个人电脑