反应性离子蚀刻（RIE）是一个等离子体蚀刻过程，它为所蚀刻部分的电荷增加了电荷，从而诱导了蚀刻过程的方向成分。蚀刻的这种方向性可以使蚀刻尺寸明显较小，这是在半导体行业中常用的。
反应性离子蚀刻（RIE）是一个血浆蚀刻过程，它使用电荷在蚀刻过程中添加方向分量。此RIE流程为该部件产生费用。当该部分充电时，等离子体的蚀刻成分将具有相反的电荷，从而导致蚀刻分量在零件上的方向碰撞。最终的蚀刻是定向，使特征大小要小得多。RIE还使制造商能够以比正常蚀刻方法更快的速度蚀刻。
控制柜：
W 560毫米H 560毫米D 420毫米
会议厅：
Ø3.9英寸，l 10.9英寸
腔室体积：
2
天然气供应：
1通过针阀的气通道
发电机：
1个。有40 kHz
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
半自动
控制柜：
W 600毫米H 1700毫米D 800毫米
会议厅：
Ø5.9英寸，l 12.6英寸
腔室体积：
5
天然气供应：
质量流控制器
发电机：
1个。有40 kHz
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
控制柜：
W 600毫米H 1700毫米D 800毫米
会议厅：
W 15.8“ X H 15.8” X D 24.6”
腔室体积：
100
天然气供应：
质量流控制器
发电机：
1个。有40 kHz
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
德国蒂埃里