refubrimiento por等离子体

等离子体涂层

EL Recubrimiento Por Plasma O LaDeposiciónQuímicadevapor Asistida Por等离子(PECVD)ES UNA APLICACIONON Que Uteriza等离子Para Modififar LAS提议De Los Materiales Y Recubrir Una Superficie。Se Aplican Capas Ultrafinas de Diferentes Grupos Moleculare omonómerossobrebetos y yureficies。Con La Ayuda de Este Proceso de Recubrimiento Por等离子,LAS Superficies Pueden VolverseHidrofóbicasOHidrófilas,抵抗Los Rayones o A LaCorrosiónOFuncigenionAdasPara Permicir LaUnión。

Principios Funcionales del Recubrimiento Por等离子体

Para El Recubrimiento Por Plasma de BajaPresión,SE介绍UN Vapor deMonómeroLíquidoOGaseosoen LaCámarade等离子。Este Gas O Vapor Del Proceso Se Inlaza SocalulareCon La Ayuda Del等离子体。ESTE RECUBRIMIENTO SE APLICA EN EL RANGO DE 10-19 Angstroms Microns,SegúnLOSparámetrosdel proceso。

Para El Recubrimiento Mediante联合国ProceSo Por PlasmaAtmosférico,LosMonómerosSE介绍DirectamenteN en En El Chorro de Plasma Por Medio de Un Gas Portador。Por Lo Tanto,El Plasma Se Enfoca en ElMonómerode la Superfiei Y Lo Polimeriza。

涂料_代价

MonómeroHidrofóbico - 六赛替迪斯利洛克诺(HMDSO)

el proceso deproduccióndefientodedeposiciónquímicadevapor asistida por plasma ultizando hexametildisilexano(hmdso)como materia prima puedecir联合国resubrimientohidrofóbico。Este Proceso deProduccióndeunRimuredientoHidrofóbicoo联合国重新订阅resurimiento类似的A UNPolímeroMerutizandoHMDSOS ES Posible Si Se Limita o Se Simina La Cantidad deOxígenousa en Los Gases Del Proceso al Momego de ladeposición。La Ausencia deOxígenoen el proceso生产联合国refubrimiento con联合国rendimiento类似的Al de UnPolímero。AlAñadiroxígenoal proceso enClementacionesMásAltas,SE生产UN RecubrimientoHidrófiloConUnaCollectacióndeóxidoMásAlta。Medida Que LaContenceacióndeAtcelCelcoceohaumentaenContertacióndeoxígeno,LadeposiciónProducidaSE Vuelve MenosOrgánicayaumenta lacontertacióndeóxidode silicio。

Monómero类似的Al PTFE:Gases del Proceso ConFluúor,TambiénTenominadoCocaeodeEpilamización

El Proceso deProduccióndeunRimientodedeposiciónquímicadevapor asistida por plasma uteriaando gasfluidomonómeroscomo materia prima puede producir联合国resubrimientohidrofóbico类似的Al Politetrafluoroetileno(PTFE)。干草燃气荧光omotoMoLOMOMOMOMOROS MAILAS Para El等离子。Estas OptimizAciones en El Rendimiento del Recubrimiento Pueden Variar SampiamenteSegúnLaaplicaciónOLOSRevisitos de La Industria。Los Ejemertos de Algunas de LasDemicomizacionesplenuiríanÁngulodeComplect,Rendimiento de DesgasteMecánico,FiledidadeLéctrica,BigingadadTérmica,Biocompatibilidad,Destencia Al Agua o TrantenciaQuímica。

MonómeroHidrófilo:acetatodevinilo,Hexametildisileoxano Mezclado Conannígenoen UnaProporciónMatchinada(IdaffyativamentemásHMDSOQue O2)

el proceso deproduccióndeunrimientodedeposiciónquímicadevapor asistida por por plasma uterizo el ganmonoméricoinestabledevinilo de acetato como materia puide producir un Recubrimientohidrófilo类似的Al acetato de Polivinilo(PVA)。El PVA Se Utiliza en Contivos,Cintas Backivas,Pieles de Salchichas,Cortezas de Queso Y Revestimientos de Alfombras PorqueS Inofensivo。el proceso deproduccióndeunresubrimientohidrofóbicoo联合国重新订阅rubrimiento相似的a联合国PolímeroMerutizandoHMDSO ES Posible Si Se Limita o Se Silvina La Cantidad deOxígenousa en Los Gases Del Proceso al Momento de ladeposición。La Ausencia deOxígenoen el proceso生产联合国resubrimiento con联合国rendimiento类似的Al de UnPolímeroHidrofóbico。Medida Que LaContendtacióndeAtcelCelCelCoceomsDisminuye EnContendtacióndeoxígeno,LadeposiciónProducidaSeVuelveMásorgánicaymás类似的AlPolímero。

Recubrimiento Por Plasma de BajaFricción。el proceso de Recubrimiento por plasma de bajafricciónaplica联合国resubrimiento de carbono a la superficie de la pieza que desea图尔塔尔。

El Proceso deProduccióndeunrimientodedeposiciónquímicadevapor asistida por等离子para dismir el cofiede defricciónnenuna superficie es posible conel procesamiento por等离子。EstaReduccióndeLaFricciónSuperficialSe Puede Realizar Con Tratamientos dedeposiciónPor等离子孔MHDSO,Carbono Y MATHES相似的AL PTFE。El Proceso de Uterizar Companoo Como Recubriemiento de BajaFricciónSESELMENOSCOSTOSO DE ESTOS REFUBRIMIENTO。Este Proceso Simple Y de Bajo Costo Se Utiliza,Menudo,Para Recubrir JuntasTóricéricosElastoméricosa fin de Wenerar UnaCondiciónnzhaqueestos moditionesseanmásfácilesde hanipulary y puedan colocarse en Alimentores vibratorios en laBraftaciónde Alto Volumen。Elmétododeuterizarlubricaciónseca eN sellos de Este TipoTambién减少La Posibilidad de Que LaContamaciónSeAdhiera A La Superficie de Una Pieza que se ha lubricado con lubricantelíquido。

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Estrategia de limpieza y grabado por等离子体

Industrias Y USOS DEL REFUBRIMINEO POR等离子

LaFabricaCiónitialitialeslídernaaplicacióndadeaposiciónquímicadevapor asistida por等离子体(pecvd)。el proceso de pecvd se Utiliza para prosucir un Recubiriento con El Fin de Cambiar永久LaEnergía肤浅的en Los Materess,APLICAR Recubrientos de BajaFricciónOrecubrir联合国材料Para Mejorar El Rendimiento O LAS提议De Los Materess。

LaFabricacióndedisivosivosMédicosHA Uterizo PECVD Como UnMétodopara Producir Cambios en El Rendimiento de Los Materiales。LaOptimizacióndaFricciónyLairderenciaQuímicaESESUN RequisitoComúnNELISENIÑODEMORTSOMÉDICOS。Generalmente,LOS ProductosMédicosRequieren联合国Fluido Para Humedecer Una Superficie o Funcigenizar Una Superficie Con Una EstructuraSepecífica。El Recubrimiento Por等离子ES UNA ExcelenteOPCIóneSte Tipo DeAplicación。

Sistemas de Recubrimiento Por Plasma portples

等离子体蚀刻

纳米版4.

控制柜:
W 560 mm H 600 mm d 600 mm

腔室:
Ø105英寸,l 16.5

室内数量:
24.

气体供应:
质量流量控制器

发电机:
1个。40 kHz.
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
触摸屏

等离子体涂层

纳米版6.

控制柜:
W 600 mm H 1700 mm d 800 mm

腔室:
Ø105英寸,l 16.5

室内数量:
24.

气体供应:
质量流量控制器

发电机:
1个。40 kHz.
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体激活

特殊TETRA 120-LF-PC

控制柜:
W 600 mm H 1700 mm d 800 mm

室内数量:
120.

气体供应:
质量流量控制器

发电机:
1个。40 kHz.
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体激活

特殊TETRA 130-LF-PC

控制柜:
W 600 mm H 1700 mm d 800 mm

气体供应:
质量流量控制器

发电机:
1个。40 kHz.
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体激活

特殊TETRA 375-LF-PC

控制柜:
W 870 mm H 1860 mm d 1400 mm

室内数量:
375.

气体供应:
质量流量控制器

发电机:
1个。40 kHz.
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体蚀刻

特殊TETRA 7500-LF-PC

控制柜:
W 600 mm H 2100 mm d 800 mm

室内数量:
7500.

气体供应:
质量流量控制器

发电机:
1个。40 kHz.
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

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