EL Recubrimiento Por Plasma O LaDeposiciónQuímicadevapor Asistida Por等离子（PECVD）ES UNA APLICACIONON Que Uteriza等离子Para Modififar LAS提议De Los Materiales Y Recubrir Una Superficie。Se Aplican Capas Ultrafinas de Diferentes Grupos Moleculare omonómerossobrebetos y yureficies。Con La Ayuda de Este Proceso de Recubrimiento Por等离子，LAS Superficies Pueden VolverseHidrofóbicasOHidrófilas，抵抗Los Rayones o A LaCorrosiónOFuncigenionAdasPara Permicir LaUnión。
Para El Recubrimiento Por Plasma de BajaPresión，SE介绍UN Vapor deMonómeroLíquidoOGaseosoen LaCámarade等离子。Este Gas O Vapor Del Proceso Se Inlaza SocalulareCon La Ayuda Del等离子体。ESTE RECUBRIMIENTO SE APLICA EN EL RANGO DE 10-19 Angstroms Microns，SegúnLOSparámetrosdel proceso。
Para El Recubrimiento Mediante联合国ProceSo Por PlasmaAtmosférico，LosMonómerosSE介绍DirectamenteN en En El Chorro de Plasma Por Medio de Un Gas Portador。Por Lo Tanto，El Plasma Se Enfoca en ElMonómerode la Superfiei Y Lo Polimeriza。
el proceso deproduccióndefientodedeposiciónquímicadevapor asistida por plasma ultizando hexametildisilexano（hmdso）como materia prima puedecir联合国resubrimientohidrofóbico。Este Proceso deProduccióndeunRimuredientoHidrofóbicoo联合国重新订阅resurimiento类似的A UNPolímeroMerutizandoHMDSOS ES Posible Si Se Limita o Se Simina La Cantidad deOxígenousa en Los Gases Del Proceso al Momego de ladeposición。La Ausencia deOxígenoen el proceso生产联合国refubrimiento con联合国rendimiento类似的Al de UnPolímero。AlAñadiroxígenoal proceso enClementacionesMásAltas，SE生产UN RecubrimientoHidrófiloConUnaCollectacióndeóxidoMásAlta。Medida Que LaContenceacióndeAtcelCelcoceohaumentaenContertacióndeoxígeno，LadeposiciónProducidaSE Vuelve MenosOrgánicayaumenta lacontertacióndeóxidode silicio。
El Proceso deProduccióndeunRimientodedeposiciónquímicadevapor asistida por plasma uteriaando gasfluidomonómeroscomo materia prima puede producir联合国resubrimientohidrofóbico类似的Al Politetrafluoroetileno（PTFE）。干草燃气荧光omotoMoLOMOMOMOMOROS MAILAS Para El等离子。Estas OptimizAciones en El Rendimiento del Recubrimiento Pueden Variar SampiamenteSegúnLaaplicaciónOLOSRevisitos de La Industria。Los Ejemertos de Algunas de LasDemicomizacionesplenuiríanÁngulodeComplect，Rendimiento de DesgasteMecánico，FiledidadeLéctrica，BigingadadTérmica，Biocompatibilidad，Destencia Al Agua o TrantenciaQuímica。
el proceso deproduccióndeunrimientodedeposiciónquímicadevapor asistida por por plasma uterizo el ganmonoméricoinestabledevinilo de acetato como materia puide producir un Recubrimientohidrófilo类似的Al acetato de Polivinilo（PVA）。El PVA Se Utiliza en Contivos，Cintas Backivas，Pieles de Salchichas，Cortezas de Queso Y Revestimientos de Alfombras PorqueS Inofensivo。el proceso deproduccióndeunresubrimientohidrofóbicoo联合国重新订阅rubrimiento相似的a联合国PolímeroMerutizandoHMDSO ES Posible Si Se Limita o Se Silvina La Cantidad deOxígenousa en Los Gases Del Proceso al Momento de ladeposición。La Ausencia deOxígenoen el proceso生产联合国resubrimiento con联合国rendimiento类似的Al de UnPolímeroHidrofóbico。Medida Que LaContendtacióndeAtcelCelCelCoceomsDisminuye EnContendtacióndeoxígeno，LadeposiciónProducidaSeVuelveMásorgánicaymás类似的AlPolímero。
El Proceso deProduccióndeunrimientodedeposiciónquímicadevapor asistida por等离子para dismir el cofiede defricciónnenuna superficie es posible conel procesamiento por等离子。EstaReduccióndeLaFricciónSuperficialSe Puede Realizar Con Tratamientos dedeposiciónPor等离子孔MHDSO，Carbono Y MATHES相似的AL PTFE。El Proceso de Uterizar Companoo Como Recubriemiento de BajaFricciónSESELMENOSCOSTOSO DE ESTOS REFUBRIMIENTO。Este Proceso Simple Y de Bajo Costo Se Utiliza，Menudo，Para Recubrir JuntasTóricéricosElastoméricosa fin de Wenerar UnaCondiciónnzhaqueestos moditionesseanmásfácilesde hanipulary y puedan colocarse en Alimentores vibratorios en laBraftaciónde Alto Volumen。Elmétododeuterizarlubricaciónseca eN sellos de Este TipoTambién减少La Posibilidad de Que LaContamaciónSeAdhiera A La Superficie de Una Pieza que se ha lubricado con lubricantelíquido。
控制柜：
W 560 mm H 600 mm d 600 mm
腔室：
Ø105英寸，l 16.5
室内数量：
24.
气体供应：
质量流量控制器
发电机：
1个。40 kHz.
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
触摸屏
控制柜：
W 600 mm H 1700 mm d 800 mm
腔室：
Ø105英寸，l 16.5
室内数量：
24.
气体供应：
质量流量控制器
发电机：
1个。40 kHz.
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
控制柜：
W 600 mm H 1700 mm d 800 mm
室内数量：
120.
气体供应：
质量流量控制器
发电机：
1个。40 kHz.
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
控制柜：
W 600 mm H 1700 mm d 800 mm
气体供应：
质量流量控制器
发电机：
1个。40 kHz.
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
控制柜：
W 870 mm H 1860 mm d 1400 mm
室内数量：
375.
气体供应：
质量流量控制器
发电机：
1个。40 kHz.
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
控制柜：
W 600 mm H 2100 mm d 800 mm
室内数量：
7500.
气体供应：
质量流量控制器
发电机：
1个。40 kHz.
（可选：13.56 MHz或2.45 GHz）
控制：
个人电脑
Thierry德国