Grabado运动等离子体

plasma_etching

在aplicación中,等离子体是一种物质,它是将sólido转化为气体的唯一途径,eliminación。如果你的生活质量不高,你就会失去生活的必要químico,那么你就会消耗大量的时间和能量orgánicos volátiles (COV)和químicas。材料orgánicos e inorgánicos y polímeros se graban fácilmente对等离子体无腐蚀。Los materials inorgánicos y metals más complejose se graban por plasma CF4 o de una mezcla de gas相似。

等离子体grabado的主要功能

等离子体直接转化为sólido等离子体直接转化为气体presión。Luego,由于cámara de vacío的缘故,我们想要更好地控制我们与parámetros de proceso的关系。我们要做的就是了解与流体接触的物质的过程。

plasma_eching_principle

Grabado一个基地oxígeno

在polímero的基础上,orgánica和sólido的基础上,就可以很好地使用oxígeno的基础。等离子体是oxígeno graba物质结合和hidrógeno分子结构结合的基础。为了产生monóxido de carbono (CO) y radical hidroxilo (HO) en combinación cadenas molecule cortas,因为它是气体的永久形式,因此fácilmente desde la cámara是气体的形式。

Grabado一个基地hidrógeno

在金属表面和oxidación表面上,等离子体的grabado过程óxido在气体的基础上hidrógeno在气体的基础上。同样的,在等离子体利用的grabado过程中hidrógeno可以结合到oxígeno在表面上转化为在vacío系统中存在的气体中分子结构的不同变化。

Grabado一个基地argón

一个地表的grabado过程argón是método个grabado físico,区分成método个grabado描述的前缘。在método grabado por等离子体,energía和átomo argón pesado por等离子体是很多的。在energía许可átomo argón的情况下,一个人就可以享受más energía对材料表面和分子表面的描述。结果是átomos表面材料、成分分子、身体组织和排出的等离子体eliminación。

Grabado de servicio腐蚀

从分子结构上构造的材料中提取等离子体的过程composición金属和polímeros químicamente建立了气体腐蚀的基础。一般来说,气体腐蚀elección se centra en química basada en flúor,与CF4、SF6和其他气体相似。adición这是腐蚀成分的比例método这是转化物质的químicas这是气体的分解,这是así这是等离子体的分解。

Grabado ionico reactivo

El grabado iónico reactivo (RIE)在抓地的过程中,等离子体在抓地的过程中产生了抓地的过程,从而诱发了直接抓地的过程。它可以直接获得许可tamaños de las características de grabado sean significatiativamente más pequeños,因为可以利用comúnmente在半导体工业。

电子书

对血浆进行抓抓

工业是抓等离子体的

  • 半导体:grabado等离子体是método主要的conmutación电路,litografía导体和半导体的工业通道的导体的结构,y对reducir的óxido在交易的部门中有一个可以放置的电子。
  • Dispositivos医学院:电浆许可证和惰性材料的生物相容性很好energía表面的。
  • 平图拉工业:土地利用状况adhesión的土地利用状况plásticos不受高温的影响;我们的员工包括聚四氟乙烯(PTFE), perfluoroalcóxido (PFA)和氟乙烯(FEP)。

系统是受欢迎的

等离子体清洗

毫微微版本1

控制箱:
宽310mm高330mm深420mm

室:
Ø 3.9英寸,L 10.9英寸

室体积:
2

天然气供应:
1气路通过针阀

发电机:
1个人电脑。40千赫
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
半自动

等离子体刻蚀

纳米版本4

控制箱:
W 560mm H 600mm D 600mm

室:
Ø 10.5英寸,L 16.5英寸

室体积:
24

天然气供应:
质量流量控制器

发电机:
1个人电脑。40千赫
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
触摸屏

等离子体设

特殊的利乐15-LF-PC

控制箱:
W 600mm H 1700mm D 800mm

室体积:
15

天然气供应:
质量流量控制器

发电机:
1个人电脑。40千赫
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体清洗

特殊四500 -如果电脑

控制箱:
W 600mm H 2100 mm D 800mm

室体积:
500

天然气供应:
质量流量控制器

发电机:
1个人电脑。40千赫
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体激活

特殊四8000 -如果电脑

控制箱:
W 600mm H 2100 mm D 800mm

室体积:
8000

天然气供应:
质量流量控制器

发电机:
1个人电脑。40千赫
(可选:13.56 MHz或2.45 GHz)

控制:
个人电脑

等离子体激活

Zepto版本4

控制箱:
宽425毫米高185毫米深450毫米

室:
Ø 4.1英寸,L 11.8英寸

室体积:
2.6

天然气供应:
质量流量控制器

发电机:
1个人电脑。40千赫
(可选:13.56 MHz)

控制:
外部的电脑

奥登加más información在等离子体中工作的人更高

Baidu
map